為執行聯合國安理會第2375號決議，根據《中華人民共和國對外貿易法》第十六條和第十八條規定，禁止向朝鮮出口本公告所公布的與大規模殺傷性武器及其運載工具相關的兩用物項和技術、常規武器兩用品。本公告自公布之日起執行。
商務部
工業和信息化部
國家原子能機構
海關總署
國防科工局
2018年4月8日
增列禁止向朝鮮出口的兩用物項和技術清單
本清單根據聯合國安理會第2375號決議制定。
一、物項、材料、設備、物品和技術
（一）與大規模毀滅性武器有關的兩用物項、材料、設備、貨物和技術
1.環形磁鐵(專門用于消費電子產品和汽車用途的除外)
2.熱室
3.適用于操作放射性材料時使用的手套箱
4.中子學計算/建模軟件
5.輻射輸運計算/建模軟件
6.流體動力學計算/建模軟件(嚴格用于民用目的的除外，例如但不僅限于社區供暖設施)
7.輻射探測、監測和測量設備
8.射線探測設備，例如X射線轉換器和儲存磷光體成像板(醫療專用的X射線設備除外)
9.用于生產氟的電解槽
10.粒子加速器
11.持續冷卻能力為100 000英熱單位/小時(每29.3千瓦)或以上的氟利昂和冷凍水冷卻系統
12.淬硬鋼和碳化鎢精密滾珠軸承(直徑3毫米或以上)
13.磷酸三丁酯
14.硝酸(質量濃度≥20%)
15.氟(嚴格用于民用目的的除外，例如制冷劑，包括氟利昂和用于生產牙膏的氟化物)
16.發射α粒子的放射性核素
17.波紋管密封閥門
18.等靜壓機
19.波紋管制造設備，包括液壓成型設備和波紋管成形沖模
20.金屬焊條惰性氣體保護焊接機(直流大于180安培)
21.蒙乃爾合金設備，包括閥門、管道、罐和容器(直徑大于8英寸、承壓可超過500磅/平方英寸的管道和閥門及容積大于500升的罐)
22.304、316和奧氏體不銹鋼板、閥門、管道、罐和容器(直徑大于8英寸、承壓可超過500磅/平方英寸的管道和閥門及容積大于500升的罐)
23.專門設計用于形成鎳或鋁涂層的電鍍設備
24.專門設計用于高真空作業的真空閥門、管道、法蘭、墊圈和相關設備(真空度為0.1帕或以下)
25.離心多面平衡機
26.能夠在300-600赫茲頻率范圍內運行的頻率變換器
27.質譜儀
28.所有閃光X光機和相關脈沖電源系統“零件”或“組件”，包括馬克思發生器、高功率脈沖成形網絡、高壓電容器和觸發器
29.合成頻率為31.8千兆赫或以上、輸出功率為100毫瓦或以上，用于時間延遲生成或時間間隔測量的以下電子設備：(a) 在1微秒或以上時間間隔下可產生分辨率為50納秒或以下延時的數字式時間延遲發生器；或(b) 在1微秒或以上時間間隔下可產生分辨率為50納秒或以下的多道(即有3個或以上通道)或模塊化時間間隔儀表和計時設備
30.色譜和光譜分析儀器
31.地震探測設備或入侵式地震探測系統，用于探測、分類和確定已探知信號的來源的方位
32.抗輻射電視攝像機
二、常規武器兩用品
（一）特種材料和相關設備
系統、設備和部件
1.專為“飛機”或航空航天用途設計、用含氟聚酰亞胺或氟化磷腈彈性體制成且含量在50％以上(按重量)的密封件、墊片、密封劑或燃料儲箱；
2.由不可熔性芳香族聚酰亞胺制成的薄膜、薄板、寬帶或窄帶材，且具備以下任一特征：
(1)厚度大于0.254mm；或
(2)用碳、石墨、金屬或磁性物質涂覆或層壓制成的結構件。
注釋：以上類別不適用于鍍銅或層壓銅且專用于電子印刷電路板生產的制成品。
3.下列非專為軍事用途設計的防護、探測設備及部件：
(1)適用于專門設計或改裝用于防護下列物項的全臉式面具、濾毒器、防護服、手套、鞋以及探測系統和凈化設備：
a.“生物制劑”；
b.“放射性物質”；或
c.化學戰(CW)制劑。
4.下列專門設計的裝有“能源材料”的電起爆設備和裝置：
(1)用于起爆(b)條所述起爆雷管的起爆裝置；
(2)下列電起爆雷管：
a.起爆橋(EB)；
b.起爆橋線(EBW)；
c.沖擊片；或
d.爆炸箔起爆器(EFI)。
技術說明：
1.“起爆雷管”還經常被稱為“起爆器”或“點火裝置”。
2.上述條目所述雷管均利用一個小導電體(橋、橋絲或箔)，當大電流電脈沖快速通過上述導電體時，使它爆炸而氣化。非沖擊片型雷管中爆炸的導電體與高爆炸藥如太安(季戊四醇四硝酸酯)相接觸時會發生化學爆炸。沖擊片雷管中，導電體的爆炸蒸氣驅動飛片或沖擊片穿過間隙，撞擊炸藥而引起化學爆炸。某些設計中的沖擊片是磁力驅動的。爆炸箔雷管一詞可指起爆橋或沖擊片型雷管。
5.下列炸藥、裝置和部件：
(1)“成型炸藥”：
a.爆炸品凈量(NEQ)大于90g；且
b.外部套管直徑大于等于75mm；
(2)線型聚能切割器：
a.爆炸載荷大于40g/m；且
b.寬度大于等于10mm；
(3)爆炸中心載荷大于64g/m的引爆線；
(4)切割機和爆炸品凈量大于3.5kg的切割工具，以及其他切割工具。
試驗、檢測和生產設備
1.下列用于生產或檢測 “復合” 結構或層壓結構、或 “纖維或纖絲材料” 的設備，以及為其專門設計的部件和配件：
(1)專門設計用于生產復合材料飛機機體或導彈結構件，以2個或以上“主伺服定位”軸對牽引纜索的運動加以協調與編程的“鋪纖束機”。
2.專門設計用于制造金屬合金、金屬合金粉末或合金材料以避免污染，且專門設計用于下列任一工藝的設備：
(1)“真空霧化”法；
(2)“氣體霧化”法；
(3)“旋轉電極霧化”法；
(4)“液滴急冷”法；
(5)“熔融態急旋法”和“粉末化”；
(6)“熔融態精煉法”和“粉末化”；
(7)“機械合金化”法；或
(8)“等離子霧化”法。
3.為“超塑成形”或“擴散焊接”鈦、鋁及其合金的工具、模具、壓模或夾具：
(1)機身或航空航天飛行器結構件；
(2)“飛機”或航空航天飛行器發動機；或
(3)為(1)條所述結構或(2)條所述發動機專門設計的部件。
材料
技術說明：
金屬和合金
除非另有規定，“金屬”或“合金”涵蓋下列原材料或半成品形式：
原材料形式
陽極板、球材、棒材(包括凹口試桿和拉絲錠)、坯、塊材、初軋方坯、團塊、陰極、晶體、立方體、小片、粒料、顆粒、鑄錠、礦塊、小球、錠塊、粉末、圓粒、彈丸、扁錠、片狀毛坯、海綿金屬和金屬條。
1.下列專門設計用作電磁波吸收劑或導電聚合物材料：
(1)基于下列任一聚合物、電導率大于10000 S/m(西門子/米)或“薄層(表面)電阻率”小于100ohms/square的本征導電聚合材料：
a.聚苯胺；
b.聚吡咯；
c.聚噻吩；
d.聚對苯乙炔；或
e.聚噻吩乙烯。
技術說明：“電導率”和“薄層(表面)電阻率”應采用ASTM D-257或等效國家標準測定。
2.由一根或多根“超導”“纖絲”組成的“超導”“復合”導體，在溫度高于115K(-158.16℃)時保持“超導”狀態。
技術說明：就上述條目而言，“纖絲”可以是線狀、柱狀、薄膜狀、帶狀或絲帶狀物體。
3.下列“纖維或纖絲材料”：
(1)具備以下所有特征的有機“纖維或纖絲材料”：
a.“比模量”大于12.7×106m；且
b.“比拉伸強度”大于23.5×104m；
注釋：本條不適用于聚乙烯。
(2)具備以下所有特征的碳“纖維或纖絲材料”：
a.“比模量”大于14.65×106m；且
b.“比拉伸強度”大于26.82×104m；
(3)具備以下所有特征的無機“纖維或纖絲材料”：
a.“比模量”大于2.54×106m；且
b.在惰性環境下，熔化、軟化、分解或升華點大于1922K(1649℃)。
軟件
1.專為“研制”、“生產”或“使用”上述設備而設計或改進的“軟件”。
2.用于“研制”上述材料的“軟件”。
3.經專門“設計”或“改進”后可令不在列管清單的設備具備上述設備功能的“軟件”。
技術
用于“研制”、“生產”或“使用”上述設備材料或“軟件”的“技術”。
(二)材料加工設備
系統、設備和部件
1.下列耐磨軸承和軸承系統及其部件：
注釋：該類別不適用于制造商標注按照ISO 3290第5級或更低級別公差生產的滾珠。
(1)具有蒙乃爾或鈹合金軸承環及滾動元件的球軸承和實心滾子軸承，且廠商標注的全部公差達到或優于ISO 492第4級公差(或等效國標)；
技術說明：
①“環”包含一個或多個滾道的徑向滾動軸承的環形部分(ISO 5593：1997)。
②“滾動元件”——在滾道滾動的球或滾子(ISO 5593：1997)。
(2)使用以下任一項的磁懸浮軸承系統：
a.磁通密度大于等于2.0T、屈服強度大于414MPa的材料；
b.調節器的全電磁三維單級偏磁設計；或
c.高溫(大于等于450K(177℃))位置傳感器。
試驗、檢測和生產設備
1.根據制造廠的技術規格，可配備“數控”電子裝置，用于去除(或切削)金屬、陶瓷或“復合材料”的下述機床或者其組合：
(1)具備以下任一特征的磨床：
a.可以3軸或3軸以上聯動實現“輪廓控制”，1個或多個直線軸的 “單向重復定位精度”小于等于(優于)1.1μm；或
b.可以5軸或5軸以上聯動，實現“輪廓控制”；
(2)具備以下所有特征、用于去除金屬、陶瓷或“復合材料”的機床：
a.通過以下任一方式去除材料：
(a)水或其他液體噴射，包括采用研磨添加劑的射流；
(b)電子束；或
(c)“激光”束；及
b.可以2個或2個以上轉軸聯動，實現“輪廓控制”。
2.用于選擇性材料去除，生產出具有以下所有特性的非球面光學表面的數控光學精加工機床：
(1)形位誤差小于(優于)1.0μm；
(2)表面粗糙度小于(優于)100nm rms；
(3)4軸或4軸以上聯動，實現“輪廓控制”；且
(4)采用以下任一工藝：
a.“磁流變精加工技術(MRF)”；
b.“電流變精加工技術(ERF)”；
c.“粒子束精加工技術”；
d.充氣膜精加工技術；或
e.“射流精加工技術”。
技術說明：就以上條目而言：
①“磁流變精加工技術”是一種材料去除工藝，使用的研磨劑是一種由磁場控制其粘度的磁性流體。
②“電流變精加工技術”是一種材料去除工藝，所使用的研磨劑是一種由電場控制其粘度的液體。
③“粒子束精加工技術”采用活性原子等離子體(RAP)或離子束進行選擇性材料去除。
④“充氣膜精加工技術”是一種通過加壓膜變形在一個較小的區域內接觸工件的過程；
⑤“射流精加工技術”利用液流去除材料。
3.具有下列所有特征的熱“等靜壓機”及為之專門設計的部件及配件：
(1)封閉型腔中熱環境可控，且內膛內徑大于等于406mm；且
(2)具備以下任一特征：
a.最大工作壓力大于207MPa；
b.受控熱環境大于1773K(1500℃)；或
c.設備可注入烴，并可除去氣態降解產物。
4.專門設計用于進行沉積、處理和無機覆蓋過程控制、涂層和表面改性的設備：
(1)具備以下所有特征的化學氣相沉積(CVD)生產設備：
a.采用下列任一改進工藝：
(a)脈沖式化學氣相沉積；
(b)受控成核熱沉積(CNTD)；或
(c)等離子體增強或等離子體輔助化學氣相沉積；且
b.具備以下任一特征：
(a)采用高真空(小于等于0.01Pa)旋轉密封；或
(b)采用原位涂層厚度控制；
(2)電子束電流大于等于5mA的離子注入生產設備；
(3)具備以下任一特征，供電系統額定功率大于80kW的電子束物理氣相沉積(EB-PVD)生產設備：
a.釆用“激光”液位控制系統，精確調整坯體在池中進給速率；或
b.采用計算機控制的速率監視器，根據蒸發氣流中電離原子的光致光照原理，控制含有2種或2種以上元素涂層的沉積速率；
(4)具備以下任一特征的等離子體噴涂生產設備：
a.噴涂之前，在一個能抽空到0.01Pa的真空室內的減壓受控環境中進行操作(噴槍出口上方小于等于300mm的測量值小于等于10kPa)；或
b.采用原位涂層厚度控制；
(5)在沉積速率大于等于15μm/h、電流密度大于等于0.1mA/mm2的濺射沉積生產設備；
(6)以電磁柵格實現陰極電弧斑點定向控制的陰極電弧沉積生產設備；
(7) 可對下列任一項進行原位測量的離子電鍍生產設備：
a.基體上的涂層厚度和速率控制；或
b.光學特性。
5.下列尺寸檢測或測量系統、設備以及“電子組件”：
(1) 計算機控制或“數控”坐標測量機(CMM)，按照ISO 10360-2(2009)標準，在機床工作范圍(即在坐標軸長度)內，任一點長度測量(E0，MPE)的三維(空間的)最大允許誤差小于等于(優于)1.7+L/1000μm(L為測量長度，單位為mm)；
(2)下列線位移與角位移測量儀：
a.具備以下任一特征的“線位移”測量儀：
(a)在0.2mm測量范圍內，分辨率小于等于(優于)
0.2μm的非接觸式測量系統；
(b)具備以下所有特征的線性差動變壓器(LVDT)系統：
①具備以下任一特征：
i.“全工作范圍”小于(包括)±5mm的線性可變差動變壓器，“線性度”在整個工作范圍內測量時小于等于(優于)0.1%；或
ii.“全工作范圍”大于±5mm的線性可變差動變壓器，“線性度”在0至5mm范圍內測量時小于等于(優于)0.1%；且
②在標準環境試驗室，溫度變化為±1K的條件下，每天漂移量小于等于(優于)0.1%；
技術說明：
就上文條目b而言，“全工作范圍”是線性可變差動變壓器的總直線位移的一半。例如，一個“全工作范圍”為±5mm的線性可變差動變壓器可以測量10mm的總線性位移。
(c)具備以下所有特征的測量系統：
①裝有“激光器”；
②滿刻度范圍內“解析度”小于等于(優于)0.200nm；且
③在20±0.01℃溫度條件下測試30s，并進行空氣折射率補償時，能夠實現測量范圍內任一點的“測量不確定性”小于等于(優于)(1.6＋L／2000)nm(L為測量長度，單位為mm)；或
(d)專為設計用于上述系統提供反饋能力的“電子組件”；
b.角位移測量儀；
注釋：上述條目不適用于采用準直光束(例如，“激光”)檢測鏡角位移的光學儀器，如自動準直儀。
(3)靈敏度小于等于(優于)0.5nm，通過光散射法測量表面粗糙度(包括表面缺陷)的設備。
6.具有下列任一特征的“機器人”以及為其專門設計的控制器和“末端執行器”：
(1)能實時進行全三維成像處理或全三維“景象分析”，并生成或修改“程序”或數控程序數據；
技術說明：
“景象分析”限制不包括通過既定角度查看的第三維近似值，或為判別核定任務(21/2D)的深度或紋理所作的有限灰度描述。
(2)依照國家安全標準，專門設計適用于潛在爆炸環境的機器人；
(3)在不降低操作性能的情況下，抗輻射性能超過5×103Gy(Si)；或
(4)特別設計使其可在海拔30000m以上操作。
7.下列專為機床、尺寸檢驗或測量系統及設備設計的組件或裝置：
(1)總體“精度”小于(優于)(800+(600×L/1000))nm(L為有效長度，單位：mm)的直線位置反饋裝置；
(2)“精度”小于(優于)0.00025°的回轉位置反饋裝置；
(3)能使機床精度提高至或超過此類所列標準的“復合旋轉工作臺”和“擺動主軸”。
8.根據制造商技術規范，可配備“數控”單元或計算機控制裝置的的旋壓成型機和強力旋壓成形機，且具備以下所有特征：
(1)具有3個或3個以上的控制軸，可實現聯動“輪廓控制”；且
(2)旋輪壓力大于60kN。
技術說明：
同時具有旋壓成形和強力旋壓成形機床均視為強力旋壓成形機床。
軟件
1.專為“研制”、“生產”或“使用”上述設備而設計或改進的“軟件”；或
2.經專門“設計”或“改進”后可令不在列管清單的設備具備上述設備功能的“軟件”。
技術
用于“研制”、“生產”或“使用”上述設備或“軟件”的“技術”。
（三）電子元器件
系統、設備和部件
1.下列電子元器件物項：
(1)下列通用集成電路：
注釋1：對已經確定功能的的晶圓(成品或半成品)，根據(1)條參數評估其狀態。
注釋2：集成電路包括下列類型：
–“單片集成電路”；
–“混合集成電路”；
–“多芯片集成電路”；
–“薄膜型集成電路”，包括藍寶石襯底的硅集成電路；
–“光集成電路”；
–“三維集成電路”；
–“單片微波集成電路”(“MMICs”)。
a.具有以下抗輻射能力之一的集成電路：
(a)總劑量大于等于5×103 Gy(Si)；
(b)翻轉注量率大于等于5×106 Gy(Si)/s；或
(c)中子注量(中子能量等效于1MeV)大于等于5×1013 n/cm2的硅或其他等效材料；
注釋：以上類別不適用于金屬絕緣體半導體(MIS)。
b.“微處理器電路”、“微計算機電路”、微控制器電路、化合物半導體制成的存儲器集成電路、模/數轉換器、包含模數轉換器和存儲處理數據的集成電路、數/模轉換器、“信號處理”用光電集成電路或“光集成電路”、現場可編程邏輯器件、功能不明的定制集成電路或使用集成電路且狀態不明的設備、快速傅立葉變換(FFT)處理器、電擦除可編程只讀存儲器(EEPROMs)、閃存、靜態隨機存取存儲器(SRAMs)或磁性隨機存取存儲器(MRAMs)，且具備以下任一特點：
(a)額定工作環境溫度高于398K(+125℃)；
(b)額定工作環境溫度低于218K(-55℃)；或
(c)額定工作環境溫度整體范圍在218 K(-55℃)至398 K(+125℃)；
注釋：該類不適用于民用汽車或鐵路系統應用的集成電路。
c.用于“信號處理”的電光路和“光集成電路”，且具有以下所有特征：
(a)包含的“激光”二極管大于等于1個；
(b)包含的光檢測元件大于等于1個；且
(c)光波導；
d.具備下列任一特征的現場可編程邏輯器件：
(a)單端數字輸入/輸出最大數大于700；或
(b)“累加的單向串口收發器峰值數據率”大于等于500Gb/s；
注釋：該類別包括：
–簡單可編程邏輯器件(SPLDs)；
–復雜可編程邏輯器件(CPLDs)；
–現場可編程門陣列(FPGAs)；
–現場可編程邏輯陣列(FPLAs)；
–現場可編程互連器(FPICs)。
e.神經元網絡集成電路；
f.制造商對其功能不明的定制集成電路，或對使用集成電路的設備狀況不明的定制集成電路，且具備以下任一特征：
(a)引腳數大于1500個；
(b)“單門傳輸延時”的典型值少于0.02ns；或
(c)工作頻率大于3GHz；
g.具備以下特征之一的直接數字頻率合成器(DDS)集成電路：
(a)數模轉換器(DAC)時鐘頻率大于等于3.5GHz，且其分辨率大于等于10位，小于12位；或
(b)數模轉換器時鐘頻率大于等于1.25GHz，數模轉換器分辨率大于等于12位；
技術說明：
數模轉換器時鐘頻率可用主時鐘頻率或輸入時鐘頻率表示。
(2)下列微波或毫米波元件：
a.(a)下列脈沖或連續波行波 “真空電子管”：
①工作頻率大于31.8GHz的真空電子管；
②所用陰極電熱元件從接通至達到額定射頻功率的時間小于3s的真空電子管；
③“相對帶寬”大于7%，或峰值功率大于2.5kW的耦合諧振腔或其派生裝置；
④基于螺旋管、折疊導波管、蛇形波導電路的裝置或其派生真空電子管，且具備以下任一特性：
i.“瞬時帶寬”大于1個倍頻，平均功率(單位：kW)與頻率的乘積(單位：GHz)大于0.5；
ii．“瞬時帶寬”小于等于1個倍頻，平均功率(單位：kW)與頻率的乘積(單位：GHz)大于1；
iii．“宇航級”；或
iv．裝有網狀電子槍的裝置；
⑤“相對帶寬”大于等于10%的裝置，且具備以下所有特征的真空電子管：
i.環形電子波束；
ii.非對稱電子波束；或
iii.多電子波束；
(b)增益大于17dB的正交場放大真空電子管；
(c)設計用于“真空電子裝置”的熱陰極，在額定工作條件下發射電流密度超過5A/cm2，或在額定工作條件下發射脈沖(非連續性)電流密度超過10A/cm2；
(d)具有“雙模式”運行能力的“真空電子裝置”；
技術說明：
“雙模式”是指“真空電子管”的電子束電流可通過使用柵控在連續波和脈沖波模式運行下進行轉換，并且產生的峰值脈沖輸出功率大于連續波輸出功率。
b.具備以下特征之一的“微波單片集成電路”(MMIC)放大器：
(a)額定工作頻率大于2.7GHz、小于等于6.8GHz，“相對帶寬”大于15%，且具備以下任一特征：
①當頻率大于2.7GHz、小于等于2.9GHz，峰值飽和功率輸出大于75W(48.75dBm)；
②當頻率大于2.9GHz、小于等于3.2GHz，峰值飽和功率輸出大于55W(47.4dBm)；
③當頻率大于3.2GHz、小于等于3.7GHz，峰值飽和功率輸出大于40W(46dBm)；或
④當頻率大于3.7GHz、小于等于6.8GHz，峰值飽和功率輸出大于20W(43dBm)；
(b)額定工作頻率大于6.8GHz、小于等于16GHz，“相對帶寬”大于10%，且具備以下任一特征：
①當頻率大于6.8GHz、小于等于8.5GHz，峰值飽和功率輸出大于10W(40dBm)；或
②當頻率大于8.5GHz、小于等于16GHz，峰值飽和功率輸出大于5W(37dBm)；
③當頻率大于16GHz、小于等于31.8GHz，且額定工作峰值飽和功率輸出大于3W(34.77dBm)，“相對帶寬”大于10%；
④當頻率大于31.8GHz、小于等于37GHz，且額定工作峰值飽和功率輸出大于0.1nW(-70dBm)；
⑤當頻率大于37GHz、小于等于43.5GHz，且額定工作峰值飽和功率輸出大于1W(30dBm)，“相對帶寬”大于10%；
⑥當頻率大于43.5GHz小于等于75GHz，且額定工作峰值飽和功率輸出大于31.62mW(15dBm)，“相對帶寬”大于10%；或
⑦當頻率大于75GHz小于等于90GHz，且額定工作峰值飽和功率輸出大于10mW(10dBm)，“相對帶寬”大于5%；或
⑧當頻率大于90GHz，額定工作峰值飽和功率輸出大于0.1nW(-70dBm)；
注釋1：額定工作頻率包括多個頻率范圍內的微波單片集成電路，其狀態通過最低峰值飽和功率輸出閾值確定。
注釋2：本類不適用于專門設計用于其他用途的微波單片集成電路，例如電信、雷達、汽車等。
c.具備以下任一特征的分立微波晶體管：
(a)額定工作頻率大于2.7GHz、小于等于6.8GHz，且具備以下任一特征：
①當頻率大于2.7GHz、小于等于2.9GHz，峰值飽和功率輸出大于400W(56dBm)；
②當頻率大于2.9GHz、小于等于3.2GHz，峰值飽和功率輸出大于205W(53.12dBm)；
③當頻率大于3.2GHz、小于等于3.7GHz，峰值飽和功率輸出大于115W(50.61dBm)；或
④當頻率大于3.7GHz、小于等于6.8GHz，峰值飽和功率輸出大于60W(47.78dBm)；
(b)額定工作頻率大于6.8GHz、小于等于31.8GHz，且具備以下任一特征：
①當頻率大于6.8GHz、小于等于8.5GHz，峰值飽和功率輸出大于50W(47dBm)；
②當頻率大于8.5GHz、小于等于12GHz，峰值飽和功率輸出大于15W(41.76dBm)；
③當頻率大于12GHz、小于等于16GHz，峰值飽和功率輸出大于40W(46dBm)；或
④當頻率大于16GHz、小于等于31.8GHz，峰值飽和功率輸出大于7W(38.45dBm)；
(c)當頻率大于31.8GHz、小于等于37GHz，額定工作峰值飽和功率輸出大于0.5W(27dBm)；
(d)當頻率大于37GHz、小于等于43.5GHz，額定工作峰值飽和功率輸出大于1W(30dBm)；或
(e)當頻率大于43.5GHz，額定工作峰值飽和功率輸出大于0.1nW(-70dBm)；
注釋1：額定工作頻率包含跨1個以上所列頻段的晶體管，其狀態由最低峰值飽和功率輸出閾值決定。
注釋2：本類包括裸芯片、安裝在載體上的芯片或安裝在封裝上的芯片。有些分立晶體管也可稱為功率放大器。
d.微波固態放大器和含微波固態放大器的微波組件/模塊，且具備以下任一特征：
(a)額定工作頻率大于2.7GHz、小于等于6.8GHz，“相對帶寬”大于15%，且具備以下任一特征：
①當頻率大于2.7GHz、小于等于2.9GHz，峰值飽和功率輸出大于500W(57dBm)；
②當頻率大于2.9GHz、小于等于3.2GHz，峰值飽和功率輸出大于270W(54.3dBm)；
③當頻率大于3.2GHz、小于等于3.7GHz，峰值飽和功率輸出大于200W(53dBm)；或
④當頻率大于3.7GHz、小于等于6.8GHz，峰值飽和功率輸出大于90W(49.54dBm)；
(b)額定工作頻率大于6.8GHz、小于等于31.8GHz，“相對帶寬”大于10%，且具備以下任一特征：
①當頻率大于6.8GHz、小于等于8.5GHz，峰值飽和功率輸出大于70W(48.54dBm)；
②當頻率大于8.5GHz、小于等于12GHz，峰值飽和功率輸出大于50W(47dBm)；
③當頻率大于12GHz、小于等于16GHz，峰值飽和功率輸出大于30W(44.77dBm)；或
④當頻率大于16GHz、小于等于31.8GHz，峰值飽和功率輸出大于20W(43dBm)；
(c)當頻率大于31.8GHz、小于等于37GHz，額定工作峰值飽和功率輸出大于0.5W(27dBm)；
(d)當頻率大于37GHz、小于等于43.5GHz，額定工作峰值飽和功率輸出大于2W(33dBm)，“相對帶寬”大于10%；
(e)額定工作頻率大于43.5GHz，且具備以下任一特征：
①當頻率大于43.5GHz、小于等于75GHz，峰值飽和功率輸出大于0.2W(23dBm)，且“相對帶寬”大于10%；
②當頻率大于75GHz、小于等于90GHz，峰值飽和功率輸出大于20mW(13dBm)，且“相對帶寬”大于5%；或
③當頻率大于90GHz，峰值飽和功率輸出大于0.1nW(-70dBm)；
注釋： 額定工作頻率包含跨1個以上所列頻段組件，其狀態由最低峰值飽和功率輸出閾值決定。
e.電或磁可調諧帶通濾波器或帶阻濾波器具有5個以上可調諧振器的，其1.5：1波段(fmax/fmin)調諧時間不大于10μs的，且具備以下任一特性：
(a)通帶帶寬大于中心頻率的0.5%；或
(b)阻帶帶寬小于中心頻率的0.5%；
f.變頻器與諧波混頻器，且具備以下任一特征：
(a)設計用于擴大“信號分析儀”頻率范圍，使其大于90GHz；
(b)設計用于擴大信號發生器的工作范圍如下：
①大于90GHz；
②大于43.5GHz、小于90GHz頻率范圍內，輸出功率大于100mW(20dBm)；
(c)設計用于擴大網絡分析器的工作范圍如下：
①大于110GHz；
②大于43.5GHz、小于90GHz頻率范圍內，輸出功率大于31.62mW(15dBm)；
③大于90GHz、小于110GHz頻率范圍內，輸出功率大于1mW(0dBm)；或
(d)設計用于擴大微波測試接收器的頻率范圍，使其大于110GHz；
g.含上述“真空電子器件”的微波功率放大器，且具備以下所有特性：
(a)工作頻率大于3GHz；
(b)平均輸出功率與質量比率超過80W/kg；且
(c)體積小于400cm3；
注釋：本條目不適用在“國際電信聯盟分配”的無線通信業務頻段內工作的設備(但不包括無線電測向設備)。
h.至少由一個行波“真空電子器件”、一個“微波單片集成電路”(“MMIC”)和一個集成電子功率調節器組成的微波功率模塊(MPMs)，且具備以下所有特征：
(a)從關機到滿負荷工作狀態的時間小于10s；
(b)體積小于最大額定功率(單位：瓦特)乘以10cm3/W；且
(c)“瞬時寬帶”大于1倍頻(fmax>2fmin)，且具備以下任一特征：
①頻率小于等于18GHz；射頻輸出功率大于100W；或
②頻率大于18GHz；
技術說明：
①上文b條目中的體積可按下述方法計算。例如，最大額定功率為20W，則體積應為20W×10cm3/W=200cm3。
②上文a條目中的開機時間是指從關機狀態到滿負荷工作所需的時間，即包括了微波功率模塊的預熱時間。
i．專用于單邊相位噪聲(單位：dBc/Hz)小于(或優于)-(126 + 20log10F-20log10f)的振蕩器或振蕩器組件，其頻率范圍10Hz≤F≤10kHz；
技術說明：
在上述類別中，F表示工作頻率偏移值(單位：Hz)，f表示工作頻率(單位：MHz)。
j.“頻率合成器”“電子組件”的“頻率開關時間”“頻率合成器”、有“頻率開關時間”的“電子組件”，且具備以下任一特征：
(a)小于143ps；
(b)合成頻率大于4.8GHz、小于等于31.8GHz，頻率變化大于2.2GHz時，小于100μs；
(c)合成頻率大于31.8GHz、小于等于37GHz，頻率變化超過550MHz時，小于500μs；
(d)合成頻率大于37GHz、小于等于90GHz，頻率變化超過2.2GHz時，小于100μs；或
(e)合成頻率大于90GHz時，小于1ms；
k.工作頻率大于2.7GHz的“發射/接收模塊”，“發射/接收微波單片集成電路”，“發射模塊”和“發射型微波單片集成電路”，且具備以下所有特征：
(a)任何通道的峰值飽和功率(單位：W)除以最大工作頻率的平方(單位：GHz)大于505.62[Psat>505.62 W*GHz2/fGHz2]。
(b)任何通道的“相對帶寬”大于等于5%；
(c)任何平面側的長度d(單位：cm)除以最小工作頻率(單位：GHz)小于等于15[d ≤15cm*GHz*N/fGHz]，其中N為發射或發射/接收通道的數目；且
(d)每個通道配置一個電子可變移相器。
技術說明：
①“發射/接收模塊”是一種多功能“電子組件”，其可為信號的發射和接收提供雙向振幅和相位控制。
②“發射模塊”是一種可為信號的傳輸提供振幅和相位控制的“電子組件”。
③“傳輸/接收微波單片集成電路”是一種多功能的“單片微波集成電路”，其可為信號的傳輸和接收提供雙向振幅和相位控制。
④“發射微波單片波集成電路”是一種可為信號的發射提供振幅和相位控制的“微波單片集成電路”。
⑤k(c)條公式中最低的工作頻率(fGHz)應為2.7GHz，用于向下延伸到2.7GHz及以下額定工作范圍的發射/傳輸模塊或發射模塊[d≤15cm*GHz*N/2.7 GHz。
⑥k條適用于配備或不配備散熱器的“發射/接收模塊”或“發射模塊”。k(c)中d的值不包括作為散熱器的“發射/接收模塊”或“發射模塊”的任一部分。
⑦“發射/接收模塊”、“發射模塊”、“發射/接收微波單片集成電路”或“發射型微波單片集成電路”可具有或不具有N個集成輻射天線元件，其中N是發射或發射/接收通道的數目。
(3)下列聲波器件以及為其專門設計的部件：
a.具備以下任一特征的聲表面波和掠射(淺表)聲波器件：
(a)載波頻率大于6GHz；
(b)載波頻率大于1GHz、小于等于6GHz，且具備以下任一特征：
①“頻率旁瓣抑制”超過65dB；
②最大延時與帶寬(時間單位：μs，寬帶單位：MHz)的乘積大于100；
③帶寬大于250MHz；或
④色散延遲大于10μs；或
(c)載波頻率1GHz以下，且具備以下任一特征：
①最大延時帶寬(時間單位：μs，寬帶單位：MHz)的乘積大于100；
②色散延遲大于10μs；或
③“頻率旁瓣抑制”超過65dB，且帶寬大于100MHz；
b.允許在超過6GHz的頻率下直接處理信號的體(體積)聲波器件；
c.通過聲波(體波或表面波)和光波相互作用，直接處理(包括光譜分析、譜相關或譜卷積)信號或圖像的聲光“信號處理”器件；
(4)專門設計在低于至少一種“超導”成分的“臨界溫度”下運行的電子器件和電路，制造包含“超導”材料，且具備以下任一特征：
a.使用“超導”門進行數字電路電流切換，延時/門(單位：s)與功耗/門(單位：W)乘積小于10-14 J；或
b.使用Q值超過10000的諧振電路在所有工作頻率上進行頻選；
(5)下列高能設備：
a.下列“電池”：
(a)“能量密度”在20℃時，大于550Wh/kg的“原電池”；
(b)“能量密度”在20℃時，大于350Wh/kg的“蓄電池”；
技術說明：
①就“高能設備”而言，“能量密度”(Wh/kg)的計算方式：額定電壓乘以額定容量(單位：Ah)，再除以電池質量。如果額定容量不明，“能量密度”也可通過下述方法計算：額定電壓的平方乘以放電時間(單位：h)，除以放電負載(單位：Ohms)，再除以電池質量(單位：kg)。
②就“高能設備”而言，“電池”是指一種電化學器件，擁有正負兩極、電解質，并能向外供電。它是蓄電池的基本構建塊。
③就“高能設備”而言，“原電池”是指不能以任何方式再充電的“電池”。
④就“高能設備”而言，“蓄電池”指可以通過外部電源再充電的“電池”。
注釋：高能元件不適用于電池組(含單電池的電池組)。
b.下列高儲能電容器：
(a)重復率小于10Hz(單穩電容器)且具備以下所有特征的電容器：
①額定電壓大于等于5kV；
②能量密度大于等于250J/kg；且
③總能量大于等于25kJ；
(b)重復率大于等于10Hz(重復額定電容器)，且具備以下所有特征的電容器：
①額定電壓大于等于5kV；
②能量密度大于等于50J/kg；
③總能量大于等于100J；且
④充/放電循環壽命大于等于10000次；
(c)專門設計在不到1s時間內充滿電或放完電的“超導”電磁體和螺線管，且具備以下所有特征：
注釋： 本條目不適用于專門設計用于磁共振成像(MRI)醫療器械的“超導”電磁體和螺線管。
①放電的第1s內釋放的能量超過10kJ；
②超導電磁線圈內徑大于250mm；且
③額定的磁感應大于8T或超導電磁線圈的“總電流密度”大于300A/mm2；
(d)“宇航級”太陽能電池、太陽能電池蓋片(CIC)、太陽能電池板、太陽能電池陣列，在301K(28℃)、輻照強度1367W/m2(模擬AM0狀態)的條件下，最小平均光電轉換效率大于20%；
技術說明：
“AM0”(即“空氣質量零”)是指當地球與太陽之間的距離為一個天文單位(AU)時，在地球大氣層外接受太陽照射的狀態。
(6)“精度”小于(優于)等于1.0弧秒的旋轉輸入型絕對位置編碼器以及專門設計的編碼器環、盤或秤；
(7)使用電、光或電子輻照控制開關方法的固態脈沖功率切換晶閘管裝置和“晶閘管模塊”，且具備以下任一特征：
a.最大導通電流上升率(di/dt)大于30000A/μs，斷態電壓大于1100V；或
b.最大導通上升率(di/dt)大于2000A/μs，且具備以下所有特征：
(a)斷態峰值電壓大于等于3000V；且
(b)峰值(浪涌)電流大于等于3000A；
注釋1：上文(7)條包括：
–硅控整流器(SCRs)；
–電觸發晶閘管(ETTs)；
–光觸發晶閘管(LTTs)；
–集成門極整流晶閘管(IGCTs)；
–柵關斷晶閘管(GTOs)；
–MOS控制晶閘管(MCTs)；
–固態電子。
注釋2： 上文(7)條目不適用于民用鐵路或“民用飛機”應用設備的晶閘管裝置和“晶閘管模塊”。
技術說明：
就7條而言，“晶閘管模塊”包括一個或多個晶閘管裝置。
(8)具備以下所有特征的固態功率半導體開關、二極管或“模塊”：
a.最大額定工作結溫度大于488K(215℃)；
b.重復峰值斷態電壓(阻斷電壓)大于300V；且
c.直流電流大于1A。
注釋：上述斷態重復峰值電壓包括漏源電壓、集電極與射極電壓的電壓、反向峰值電壓和反向阻斷峰值電壓。
2.下列通用“電子組件”、模塊和設備：
(1) 下列記錄設備和示波器：
a.具備以下所有特征的數字數據記錄器：
(a)磁盤或固態硬盤存儲器持續“連續吞吐率”大于6.4Gbit/s；且
(b)在被記錄的同時可以進行射頻信號數據分析的處理器；
技術說明：
①就具備并行總線結構的記錄儀而言，“連續吞吐率”是最高字節數率與字位數的乘積。
②“連續吞吐率”是在保持輸入數字數據率分析儀轉換率的同時，不損失任何信息的情況下，儀表能夠輸出到磁盤或固態硬盤存儲器的最大速率。
b.實時示波器的垂直均方根(rms)噪聲電壓低于縱坐標全量程2%，該縱坐標為每信道輸入3dB帶寬不低于60GHz的情況下，提供最小的噪聲值；
(2)下列“信號分析儀”：
a.頻率范圍大于31.8GHz、小于37GHz， 3dB分辨率帶寬(RBW)大于10MHz的“信號分析儀”；
b.頻率范圍大于43.5GHz、小于90GHz內，顯示平均噪聲電平(DANL)小于(優于)-150dBm/Hz的“信號分析儀”；
c.頻率范圍大于90GHz的“信號分析儀”；
d.具備下列所有特征的“信號分析儀”：
(a)“實時寬帶”大于170MHz；且
(b)具有以下任一特征：
①對于持續時間小于等于15μs的信號，由于其間隔或窗口效應，信號從滿振幅降低到不超過3dB時的發現概率為100%；或
②對于持續時間為小于等于15μs的信號，具有100%的觸發(捕捉)的“頻率掩模觸發”的功能；
技術說明：
①上文①條所述的發現概率也稱為攔截概率或捕獲概率。
②就上文①條而言，100%發現概率持續時間相當于特定電平測量不確定性所需的最短信號持續時間。
注釋：上述類別不適用于僅使用恒百分比帶寬濾波器(也稱倍頻或分數倍頻濾波器)的“信號分析儀”。
(3) 具備以下任一特征的信號發生器：
a.在頻率大于31.8GHz、小于等于37GHz范圍內規定產生的脈沖調制信號，且具備以下所有特征：
(a)“脈沖持續時間”小于25ns；且
(b)開關率大于等于65dB；
b.在大于43.5GHz、小于90GHz頻率范圍內，輸出功率大于100mW(20dBm)；
c.具備以下任一特征的“頻率轉換時間”：
(a)在頻率大于4.8GHz、小于等于31.8GHz，頻率變化大于2.2GHz時，“頻率轉換時間”小于100μs；
(b)在頻率大于31.8GHz、小于等于37GHz，頻率變化大于550MHz時，“頻率轉換時間”小于500μs；或
(c)在頻率大于37GHz、小于等于90GHz，頻率變化大于2.2GHz時，“頻率轉換時間”小于100μs；
4.具有以下任一特征的網絡分析儀：
a.大于43.5GHz、小于90GHz工作頻率范圍內，輸出功率大于31.62mW(15dBm)；
b.大于90GHz、小于110GHz工作頻率范圍內，輸出功率大于1mW(0dBm)；
c.大于50GHz、小于110GHz頻率的“非線性矢量測量功能性”；或
技術說明：
“非線性矢量測量功能”是指儀器設備具備檢測或分析大信號域和非線性失真信號的能力。
d.最大工作頻率大于110GHz；
(5)具備以下所有特征的微波測試接收機：
a.最高工作頻率大于110GHz；且
b.能夠同時測量振幅和相位；
(6)具備以下所有特征的原子頻率標準：
a.“宇航級”；
b.長期穩定性小于(優于)1×10-11/月的非銣原子；或
c.非“宇航級”，并具備以下所有特征：
(a)標準銣原子；
(b)長期穩定性小于(優于)1×10-11/月；且
(c)總功耗小于1W。
試驗、檢測和生產設備
1.下列半導體器件或材料制造設備以及為其專門設計的部件和配件：
(1)具有以下任一特征的離子注入機：
a.經過設計和優化，可在束流能量大于等于20keV或束流大于等于10mA時，用于氫、氘、氦注入；
b.具備直接寫入能力；
c.在束流能量大于等于65keV、束流大于等于45mA時，用于將高能氧注入加熱半導體材料“襯底”；或
d經過設計和優化，可在束流能量大于等于20keV或束流大于等于10mA時，用于將硅注入溫度600℃以上半導體材料“襯底”；
(2)下列光刻設備和能夠產生小于等于45nm尺寸特征的壓印光刻設備：
a.使用光學或X射線方法進行晶圓加工的重復(對晶圓進行的直接工序)或步進掃描(掃描儀)對準和曝光設備，且具備以下任一特征：
(a)光源波長小于193nm；或
(b)能夠產生最小分辨率尺寸”(MRF)小于等于45nm“的圖形；
技術說明
“最小分辨率尺寸”(MRF)通過以下公式計算：
MRF= (曝光光源波長，nm)x(K因子)
數值孔徑
(3)a.專門設計采用偏轉聚焦電子束、離子束或“激光”束用于掩膜制造的設備；
b.設計用于器件加工的設備，采用直接寫入方法。
(4)設計用于集成電路的掩膜和光柵；
2.專門設計用于測試以下成品或半成品半導體器件的設備，以及為其專門設計的部件和配件：
(1) 用于在大于31.8GHz頻率下測試晶體管器件S參數；
(2) 用于測試上述的微波集成電路。
材料
1.由以下任何堆疊外延生長多層“襯底”組成的異質外延材料：
(1)硅(Si)；
(2)鍺(Ge)；
(3)碳化硅(SiC)；或
(4)鎵或銦“III/V化合物”。
注釋：本條不適用于具有1個或1個以上P型外延層的“襯底”，外延層包括氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鋁鎵、磷化鎵、磷化銦鎵、磷化鋁鎵或氮磷化銦鋁鎵等，且物質元素自由排序，但P型外延層在N型層之間的情況除外。
2.以下光刻膠材料以及涂有下列光刻膠材料的“襯底”：
(1)設計用于以下半導體光刻的光刻膠材料：
a.調整(優化)在小于245nm、大于15nm波長下使用的正性光刻膠；
b.調整(優化)在小于15nm、大于1nm波長下使用的光刻膠；
(2)與電子射束或離子射束一起使用，敏感度大于等0.01μc/mm2的所有光刻膠；
(3)為表面成像技術優化的光刻膠；
(4)設計或優化熱工藝或光固工藝能夠使得壓印光刻設備產生小于等于45nm尺寸特征的所有光刻膠。
3.下列有機-無機化合物：
(1)純度(金屬基準)優于99.999%的有機金屬鋁、鎵或銦化合物；
(2)純度(無機元素基準)優于99.999%的有機砷、有機銻和有機磷化合物。
4.純度高于99.999%的磷、砷或銻的氫化物，甚至包括在惰性氣體或氫中稀釋后。
注釋： 上條不適用于惰性氣體或氫含量大于等于20%氫化物。
5.碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)或氮化鋁鎵(AlGaN)半導體“襯底”，或錠、球等20℃下電阻率大于10000Ω？cm的材料。
6.第5條所述的“襯底”，至少有一層碳化硅、氮化鎵、氮化鋁或氮化鋁鎵外延層。
軟件
1.專門設計用于“研制”、“生產”或“使用”上述設備的“軟件”。
2.經專門“設計”或“改進”后可令不在列管清單的設備具備上述設備功能的“軟件”。
技術
用于“研制”、“生產”或“使用”上述設備或材料的“技術”。
（四）傳感器和“激光器”
光學傳感器
1.下列光學傳感器或設備及部件：
(1)下列光學傳感器的專用配套部件：
a.“宇航級”制冷器；
b.制冷源溫度低于218K(-55℃)的非“宇航級”制冷器：
(a)平均無故障時間或平均故障間隔時間大于2500小時的閉路循環制冷器；
(b)(外)孔(外)直徑小于8mm焦耳-湯姆生(JT)自調微型冷卻器；
c.成分或結構經特別加工，或涂覆改性涂料，對聲、熱、慣性、電磁或核輻射敏感的傳感光纖。
相機
1.下列相機、系統或設備及部件：
(1)下列儀表相機以及專門為其設計的部件：
注釋：上文所列具有模塊結構的儀表相機，應按照制造商說明書，通過其使用可用插件后的最大能力進行評估。
a.高速攝影記錄相機，且其能使用8mm？16mm各種規格膠片，記錄期間膠片被連續推動，幀率大于13150幀/秒；
注釋：上條不適用于為民用攝影記錄相機。
b.膠片不移動的機械高速相機，且其能以1000000幀/秒的速度在35mm膠片上全幀幅記錄數據，或以按比例較高的幀頻在較低幀幅上記錄，或以按比例較低的幀頻在較高幀幅上記錄；
c.下列機械或電子超高速掃描相機：
(a)記錄速度大于10mm/μs的機械或電子快速掃描相機；
(b)瞬時分辨率優于50ns的電子快速掃描相機；
d.記錄速度大于每秒1000000幀的電子分幀相機；
e.具有下述所有特征的電子相機：
(a)電子快門速度(門控能力)小于1μs/全幀；且
(b)讀出時間允許幀速大于125全幀/秒；
f.具有下述所有特征的插件：
(a)專門設計用于本條所述的、具有模塊化結構的儀表相機；且
(b)按照制造商的說明書要求，使這些相機滿足上文規定的技術要求；
(2)下列成像相機：
注釋： 上條不適用于專門為電視廣播用途設計的攝像機。
a.集成固態傳感器，峰值響應在10nm至30000nm波長范圍內的視頻攝像機，且具有以下所有特征：
(a)具備以下任一特征：
①對于黑白相機，每個固態陣列包含的“有源像素”大于4×106個；
②對于包含三個固態陣列的彩色相機，每個固態陣列包含的“有源像素”大于4×106個；或
③對于包含一個固態陣列的固態陣列彩色相機，每個固態陣列包含的“有源像素”大于12×106個；且
(b)具有以下任一特征∶
①裝有以下所述的光學反射鏡；
②裝有以下所述的光學控制設備；或
③具有對內部產生的‘相機跟蹤數據’注釋的功能；
技術說明：
①關于本條款，應該用捕捉移動影像的最大“有源像素數”來對數碼相機進行評估。
②關于本條款，“相機跟蹤數據”是指相對于地球的相機視線方向所需的信息。這包括：(a)相機視線相對于地球磁場方向的水平角度；以及(b)相機視線與地球水平線之間的垂直角度。
b.具有下述所有特征的掃描相機和掃描相機系統：
(a)峰值響應在為10nm至30000nm波長范圍；
(b)包含8192個以上像元的線性探測器陣列；且
(c)單方向機械式掃描；
注釋：上文不適用于為以下任一種裝置專門設計的掃描相機及掃描相機系統：
①工業用或民用影印機；
②專門為民用固定近距離掃描應用(如：復制文件、藝術品或相片中的影像或圖片)設計的圖像掃描儀；
③醫療設備。
c.含具有下述任一特征的圖像增強管的成像相機：
(a)具有以下所有特征：
①峰值響應400nm至1050nm波長范圍內；
②使用以下任一裝置進行電子圖像放大：
孔間距為小于等于12μm的(指中心到中心的距離)的微通道板；或
專門設計或改進用于在不通過微通道板等方式實現“電荷倍增”，且其非二進制像素間距為小于500μm的電子傳感裝置；且
③以下任一光電陰極：
光敏度大于350μA/lm的多堿光電陰極(例如S-20和S-25)；
砷化鎵或銦鎵砷光陰極；或
最大“輻射靈敏度”大于10mA/W的其他“III/V族化合物”半導體光電陰極；
(b)具有以下所有特征：
①峰值響應1050nm至1800nm波長范圍內；
②使用以下任一裝置進行電子圖像放大：
孔間距為小于等于12μm(指中心到中心的距離)的微通道板；或
專門設計或改進用于在不通過微通道板等方式實現‘電荷倍增’，且其非二進制像素間距為小于500μm的電子傳感裝置；且
③“III/V族化合物”半導體(如：砷化鎵或銦鎵砷)光電陰極及轉移電子光陽極，其最大“輻射靈敏度”大于15mA/W；
d.含具有下述任一特征的“焦平面陣列”的成像相機：
(a)具有下述所有特征的非“宇航級”“焦平面陣列”：
①具有以下所有特征：
單個像元的峰值響應在900nm至1050nm波長范圍內；且
具備以下任一特征：
1.響應“時間常數”小于0.5ns；或
2.專門設計或改進以實現‘電荷倍增’，且其最高“輻射靈敏度”大于10mA/W；
②具有以下所有特征：
單個像元的峰值響應在1050nm至1200nm波長范圍內；且
具備以下任一特征：
響應“時間常數”小于等于95ns；或
專門設計或改進以實現‘電荷倍增’，且其最高“輻射靈敏度”大于10mA/W；或
非“宇航級”非線性(二維)“焦平面陣列”，其單個像元的峰值響應在1200nm至30000nm波長范圍內；
具有下述所有特征的非“宇航級”線性(一維)“焦平面陣列”：
(1)單個像元的峰值響應在1200nm至3000nm波長范圍內；
(2)具備以下任一特征：
a.探測器元件掃描方向上的尺度與垂直掃描方向上的尺度比值小于3.8；或
b.探測器像元處理信號；
5.非“宇航級”線性(一維)“焦平面陣列”，其單個元件的峰值響應在3000nm至30000nm波長范圍內；
(b)單個像元未經過濾波響應在8000nm至14000nm波長范圍內、基于微輻射測熱計的非“宇航級”非線性(二維)紅外焦平面陣列；
(c)具有下述所有特征的非“宇航級”“焦平面陣列”：
①單個元件的峰值響應在400nm至900nm波長范圍內；
②為實現“電荷倍增”而專門設計或改進，并在波長超過760nm時，最高“輻射靈敏度”大于10mA/W；
③像元超過32個。
注釋1：上文第4條所列的裝有“焦平面陣列”成像相機配裝，除了讀取集成電路外，還應帶有足夠的“信號處理”電子元器件。一旦供電，上述信號處理電子元器件可確保模擬信號或數字信號的最小輸出；
注釋2：第4(1)條不適用為下述任一系統或設備專門設計的配裝有線性“焦平面陣列”的成像相機，該相機元件數小于等于12個，元件內不使用延時積分；
①工業用或民用侵入警報器、交通監控系統或工業監控或計數系統；
②用于檢驗或監測樓宇、設備或工業程序內的熱流的工業設備；
③用于檢驗、分類或分析物料性質的工業設備；
④實驗室專用設備；或
⑤醫療設備。
注釋3： 第4.(2).條不適用于下列任一特性的成像相機：
①最高幀速小于等于9Hz；
②具有下述所有特征：
具有至少10mrad(豪弧度)像素的最小水平或垂直瞬時視場(IFOV)；
帶有不可拆卸的固定焦距鏡頭；
無“直視”顯示；且
技術說明：
“直視”是指觀察者利用帶有光安全裝置的接近人眼的微觀顯示器，直接觀察紅外成像相機捕獲的圖像。
具備以下任一特征：
1.不具有捕獲受探測視場的可視圖像的設備；或
2.該相機專為單一用途設計，且用戶無法修改其用途；或
技術說明：
說明3.b.中所述的“瞬時視場”(IFOV)指“水平IFOV”或“垂直IFOV”(兩者中以較小數值者為準)。
“水平IFOV”= 水平視場(FOV)／水平探測器元件數目；
“垂直IFOV”= 垂直視場(FOV)／垂直探測器元件數目；
③專門設計安裝于民用客車，并具有下述所有特征：
車內相機的安放和配置僅用于協助駕駛人員安全駕駛。
光學器件
1.下列光學設備及部件：
(1)下列光學反射鏡(反射器)：
a.主動光學孔徑大于10mm，且具有下列任一特性的“可變形反射鏡”，以及為其專門設計的部件：
(a)具有下述所有特征：
①機械共振頻率大于等于750Hz；且
②200個以上的驅動器；或
(b)具備以下任一特征的激光損傷閾值：
①使用“連續波激光器”時超過1kW/cm2；或
②閾值大于2J/cm2，且重復頻率為20Hz時，“激光器”脈沖為20ns；
b.平均“等效密度”小于30kg/m2，且總重量大于10kg的輕型單片反射鏡；
c.平均“等效密度”小于30kg/m2，且總重量大于2kg的輕型“復合”或泡沫面結構反射鏡；
注釋： 第b和c條不適用于針對陸地定日鏡裝置的太陽輻射而專門設計的反射鏡。
d.為光束控制鏡像臺專門設計的反射鏡，其平面度為λ/10或更高(λ等于633nm)，且具備以下任一特征：
(a)直徑或主軸長度大于等于100mm；或
(b)具有下述所有特征：
①直徑或主軸長度大于50mm，但小于100mm；且
②激光損傷閾值具備以下任一特征：
使用“連續波激光器”，大于10kW/cm2；或
使用重復頻率為20Hz，脈沖寬度為20ns的“激光器”，大于20J/cm2；
(2) 由硒化鋅(ZnSe)或硫化鋅(ZnS)制造的光學組件，其傳送波長范圍為3000nm至25000nm，且具備以下任一特征：
a.體積大于100cm3；或
b.直徑或主軸長度大于80mm，厚度(深度)大于20mm；
(3) 下列“宇航級”光學系統的組件：
a.部件的“等效密度”比同樣孔徑和厚度的實體小20%；
b.具有表面涂層的原基片(單層或多層、金屬或電介質、導體、半導體或絕緣體)或者帶有保護膜的基片；
c.用于空間光學系統，有效通光孔徑大于等于1m的分塊反射鏡或組件；
d.用“復合”材料制成的組件，其在任何坐標方向的線性熱膨脹系數小于等于5×10-6。
激光器
1．下列“激光器”、組件和光學設備：
(1) 具備以下任一特征的非“可調式”連續波(CW)激光器：
a.輸出波長小于150nm，且輸出功率大于1W；
b.輸出波長大于等于150nm，小于等于510nm，且輸出功率大于30W；
注釋：上文第2條不適用于輸出功率小于等于50W的氬“激光器”。
c.輸出波長超過510nm但不超過540nm，且具備以下任一特征：
(a)單橫模輸出，且輸出功率大于50W；或
(b)多橫模輸出，且輸出功率大于150W；
d.輸出波長大于540nm、小于等于800nm，且輸出功率大于30W；
e.輸出波長大于800nm、小于等于975nm，且具備以下任一特征的輸出波長：
(a)單橫模輸出，且輸出功率大于50W；或
(b)多橫模輸出，且輸出功率大于80W；
f.輸出波長大于975nm、小于等于1150nm，且具備以下任一特征：
(a)單橫模輸出，輸出功率大于500W；或
(b)具備以下任一特征的多橫模輸出：
①“插頭效率”大于18%，且輸出功率大于500W；或
②輸出功率大于2kW；
注釋1：上文(b)條不適用輸出功率大于2kw、小于等于6kw，總質量大于1200kg的工業用多橫模“激光器”。就本注釋而言，總質量應包括“激光器”運行所需的所有部件，如“激光器”、電源、熱交換器等，但不包括用于光束調節和/或傳輸的光學部件。
注釋2：上文(b)條不適用于具有以下任一特性的多橫模工業“激光器”：
①輸出功率大于500W、但小于等于1kw，且具有下述所有特征：
光束參數積(BPP)大于0.7mm？mrad；且
‘亮度’小于等于1024 W/(mm？mrad)2；
②輸出功率大于1kW、但小于等于1.6kW，且BPP大于1.25 mm？mrad；
③輸出功率大于1.6kW、但小于等于2.5kW，且BPP大于1.7mm？mrad；
④輸出功率大于2.5kW、但小于等于3.3kW，且BPP大于2.5 mm？mrad；
⑤輸出功率大于3.3kW、但小于等于4kW，且BPP大于3.5 mm？mrad；
⑥輸出功率大于4kW、但小于等于5kW，且BPP大于5 mm？mrad；
⑦輸出功率大于5kW、但小于等于6kW，且BPP大于7.2 mm？mrad；
⑧輸出功率大于6kW、但小于等于8kW，且BPP大于12mm？mrad；或
⑨輸出功率大于8kW、但小于等于10kW，且BPP大于24mm？mrad；
技術說明：
就說明①ii而言，“亮度”指“激光器”的輸出功率除以光束參數積(BPP)的平方，即：(輸出功率)/BPP2。
技術說明：
“插頭效率”指“激光器”輸出功率(或“平均輸出功率”)與運行“激光器”(包括電源/調制和熱控/熱交換系統)所需的電輸入總功率之比。
(2)具備以下任一特征的“可調式”激光器：
a．輸出波長小于600nm，且具備以下任一特征：
(a)輸出單脈沖能量大于50mJ，且“峰值功率”大于1W；或
(b)平均或連續輸出功率大于1W；
注釋：上文第a條不適用于具有多模輸出，且波長大于等于150nm、小于等于600nm，且具備以下所有特征的染料“激光器”或其他液體“激光器”：
①輸出單脈沖能量小于1.5J或“峰值功率”小于20W；且
②平均或連續輸出功率低于20W；
b．輸出波長大于等于600nm，但小于等于1400nm，且具備以下任一特征：
(a)輸出單脈沖能量大于1J，且“峰值功率”大于20W；或
(b)平均或連續輸出功率大于20W；或
c.輸出波長大于1400nm，且具備以下任一特征：
(a)輸出單脈沖能量大于50mJ，且“峰值功率”大于1W；或
(b)平均或連續輸出功率大于1W；
(3) 下列其他半導體“激光器”：
注釋1： 包括帶有光輸出連接器(如光纖尾纖)的半導體“激光器”。
注釋2： 專為其他設備設計的半導體“激光器”，其管制情況取決于其他設備。
a.(a)具備以下任一特征的單個單橫模半導體“激光器”：
①波長小于等于1510nm，且平均或連續輸出功率大于1.5W；或
②波長大于1510nm，且平均或連續輸出功率大于500mW；
(b)具備以下任一特征的單個多橫模半導體“激光器”：
①波長小于1400nm，且平均或連續輸出功率大于15W；
②波長大于等于1400nm，小于1900nm，且平均或連續輸出功率大于2.5W；或
③波長大于等于1900nm，且平均或連續輸出功率大于1W；
(c)具備以下任一特征的單個半導體“激光器”“巴條”：
①波長小于1400nm，且平均或連續輸出功率大于100W；
②波長大于等于1400nm，小于1900nm，且平均或連續輸出功率大于25W；或
③波長大于等于1900nm，且平均或連續輸出功率大于10W；
(d)具備以下任一特征的半導體“激光器”‘疊陣’(二維陣列)：
①波長小于1400nm，且具備以下任一特征：
平均或連續輸出總功率小于3kW，且平均或連續輸出‘功率密度’大于500W/cm2；
平均或連續輸出總功率大于等于3kW、小于等于5kW，且平均或連續輸出‘功率密度’大于350W/cm2；
平均或連續輸出總功率大于5kW；
脈沖峰值 “功率密度”大于2500W/cm2；或注釋：第d條不適用于采用外延的方式制作的單片裝置。
空間相干的平均或連續輸出總功率大于150W；
②波長大于等于1400nm，小于1900nm，且具備以下任一特征：
平均或連續輸出總功率大于250W，且平均或連續輸出“功率密度”大于150W/cm2；
平均或連續輸出總功率大于等于250W、小于等于500W，且平均或連續輸出“功率密度”大于50W/cm2；
平均或連續輸出總功率大于500W；
脈沖峰值 “功率密度”大于500W/cm2；或
注釋：第d條不適用于采用外延的方式制作的單片裝置。
空間相干的平均或連續總輸出功率大于15W；
③波長大于等于1900nm，且具備以下任一特征：
平均或連續輸出“功率密度”大于50W/cm2；
平均或連續輸出功率大于10W；或
空間相干的平均或連續輸出總功率大于1.5W；或
④至少有一個上述“激光器”“巴條”；
技術說明：
此類“功率密度”指“激光器”總輸出功率除以疊陣的發光面積。
b．下列“化學激光器”：
(a)氟化氫(HF)“激光器”；
(b)氟化氘(DF)“激光器”；
(c)“傳能激光器”：
①氧碘(O2-I)“激光器”；
②氟化氘-二氧化碳(DF-CO2)“激光器”；
c.具備以下任一特征的‘脈沖’釹玻璃“激光器”：
(a)“脈沖持續時間”小于等于1μs，且輸出單脈沖能量大于50J；或
(b)“脈沖持續時間”大于1μs，且輸出單脈沖能量大于100J；
4.以下組件：
a.采用‘主動制冷’或導熱管制冷的鏡片；
技術說明：
“主動制冷”是一種用于光學組件的制冷技術，它利用鏡面下方(通常在小于鏡面下方1mm處)的液體流動來消除光學組件的熱量。
b.為上述所列“激光器”專門設計的鏡片、透射或部分透射光學或光電組件，而非熔錐形光纖合束器及多層介質膜光柵(MLD)。
c.光纖“激光器”組件：
(a)具備以下所有特征的多模-多模熔錐型光纖合束器：
①在額定總平均或連續輸出功率(不包括通過單模芯(如果有)傳輸的光纖)超過1000W的情況下，小于等于0.3dB的插入損耗；且
②輸入光纖數量大于等于3；
(b)具備以下所有特征的單模-多模熔錐型光纖合束器：
①在額定總平均輸出功率或連續輸出功率超過4600W的情況下，小于等于0.5dB的插入損耗(優于)；
②輸入光纖數量大于等于3；且
③具備以下任何一個特征：
輸入纖維數小于等于5時，輸出光束參數積小于等于1.5mm mrad；或
輸入光纖數大于5時，輸出光束參數積小于等于2.5mm mrad；或
(c)具備以下所有特征的多層介質膜光柵(MLD)：
①設計用于5個或5個以上的光纖激光器光譜或相干合束；且
②連續“激光”損傷閾值(LIDT)大于等于10kW/cm2。
（五）磁場和電場傳感器
重力儀
1.重力儀(重力計)和重力梯度儀，如下：
(1)設計或改進用于地面用途，且靜態精度小于(優于)10μGal的重力儀；
注釋：第a條不適用于地面使用的石英元件重力儀(渥爾登重力儀)。
(2)為移動平臺設計，且具備以下所有特征的重力儀
a.靜態“精度”小于(優于)0.7mGal；且
b.動態“精度”小于(優于)0.7mGal，且在矯正補償和運動影響的任意組合下，穩定時間少于2分鐘；
技術說明：
就第(b)條而言，‘穩定時間’(也叫“重力儀反應時間”)是指減小平臺引起的加速度的干擾的時間。
c.重力梯度儀。
雷達
1.具備以下任一特征的雷達系統、設備和組件，以及為其專門設計的組件：
注釋：本節不適用于以下各項：
–二級監視雷達(SSR)；
–民用汽車雷達；
–用于航空管制(ATC)的顯示器或監視器；
–氣象(天氣)雷達；
–符合國際民用航空組織(ICAO)標準及采用電子線性相控(單維)陣列或機械定位無源天線的精密進場著陸雷達(PAR)。
(1)在40~230GHz的頻率范圍內運行，且具備以下任一特征：
a.平均輸出功率大于100mW；或
b.距離定位“精度”小于等于(優于)1m，方位角定位精度小于等于(優于)0.2°；
(2) 可調帶寬大于“中心工作頻率”的±6.25%；
技術說明：
“中心工作頻率”等于所述最高和最低工作頻率之和的一半。
(3)能同時在兩個以上的載波頻率上工作；
(4)能夠在合成孔徑(SAR)、反合成孔徑(ISAR)或機載側視(SLAR)雷達模式下工作；
(5)采用“相控陣天線”；
(6)能測量非合作式目標的高度；
(7)專用于機載(氣球或機架裝置)，且具有用于偵測移動目標的多普勒“信號處理”功能；
(8)采用以下任一技術對雷達信號進行處理：
a.“雷達擴頻”技術；或
b.“雷達頻率捷變”技術；
(9) 專用于地面工作，且最大“測程”大于185km；
注釋：上文9條不適用于以下各項：
①漁場監視雷達；
②專門設計用于航空管制的地面雷達，且具備以下所有特征：
其最大“測程”小于等于500km；
只能向一個或多個民航空管中心單向傳輸目標數據；
空管中心不能遙控雷達的掃描速率；且
永久性安裝；
③氣象氣球追蹤雷達。
(10)具備以下任一特征的“激光器”雷達或激光雷達(LIDAR)設備：
a.“宇航級”；
b.采用相干外差或零差探測技術，且角分辨率小于(優于)20μrad(微弧度)；或
c.為了實施或優化水道測量，按照國際海道測量組織(IHO)指令1a海道測量標準(2008年2月第5版)或更高標準的規定，實施航空濱海水深測量，且使用一個或多個波長大于400nm，但小于等于600nm的“激光器”；
注釋1：僅在第3條中對專門為測量設計的激光雷達(LIDAR)設備進行了規定。
注釋2：上條不適用于專門設計用于氣象觀測的激光雷達(LIDAR)設備。
注釋3：國際海道測量組織(IHO)指令標準1a(2008年2月第5版)內的參數匯總如下：水平精度(可信度為95%) = 5m+5%深度
折算深度的測深精度(可信度為95%) = ± √(a2 +(b*d)2)，在公式中：
a=0.5m= 恒定深度誤差(即：所有恒定深度誤差的總和)
b=0.013= 深度相關誤差因子
b*d = 深度相關誤差，即：所有深度相關誤差的總和
d = 深度
特征探測
=立方特征>2m(深度可達40m)；超過40m時為10%深度。
(11)配有采用“脈沖壓縮”的“信號處理”子系統，且具備以下任一特征：
a.“脈沖壓縮”比大于150；或
b.壓縮脈沖寬度小于200ns；或
注釋： 上文第2條不適用于具有下列所有特征的二維“航海雷達”或“船舶交通服務”雷達：
① “脈沖壓縮”比小于等于150；
②壓縮脈沖寬度大于30ns；
③單極式和旋轉式機械掃描天線；
④峰值輸出功率小于等于250W；且
⑤不能實現“跳頻”。
(12)配有數據處理子系統，且具備以下任一特征：
a.對于天線的任意轉動，“自動目標追蹤”能在下一個天線掃描波束對準目標(掃過)之前預測目標位置；
注釋：上條不適用于空中交通管制系統中的沖突預警能力，或“航海雷達”。
b.配置目的是為了在6s之內將來自兩個或兩個以上“不同地域”的雷達傳感器的目標數據進行重疊、校正或融合，以提升其總性能，使其超出第(f)或(i)條所述的任何單一傳感器的性能。
注釋：上條不適用于在船舶交通服務中使用的系統、設備及組件。
技術說明：
①就本節而言，“航海雷達”指用于海上，內陸水道或近岸環境中安全航行的雷達。
②就本節而言，“船舶交通服務”指類似于“飛機”空中交通管制的船舶交通監督和管制服務。
(六)試驗、檢測和生產設備
光學
1．下列光學設備：
(1)用以測量絕對反射率的設備，其“精度”等于或優于反射值的0.1%；
(2)光學表面散射測量設備以外的設備，具有大于10cm的有效孔徑，專用于非平面光學表面外形(截面)的非接觸光學測量，相對所需截面而言，其“精度”優于2nm。
注釋：上條不適用于顯微鏡。
重力儀
用于生產、對準和校準靜態測量精度優于0.1mGal的地面重力儀的設備。
雷達
發射脈沖寬度小于等于100ns的脈沖式雷達截面測量系統，以及為其專門設計的部件。
（七）材料
光學傳感器
1.下列光學傳感器材料：
(1)純度大于等于99.9995%的元素碲(Te)；
(2)具備以下任一特征的單晶體(包括外延片)：
a.按摩爾分數計算，鋅含量小于6%的碲化鎘鋅(CdZnTe)；
b.任何純度的碲化鎘(CdTe)；或
c.任何純度的碲鎘汞(HgCdTe)。
技術說明：
“摩爾分數”指為碲化鋅的摩爾數與存在于晶體中的碲化鎘和碲化鋅的摩爾數之和的比率。
光學器件
1.下列光學材料：
(1)用化學氣相沉積法生產的硒化鋅(ZnSe)及硫化鋅(ZnS)的“基板”，且具備以下任一特征：
a.體積大于100cm3；或
b.直徑大于80mm，且厚度大于等于20mm；
(2)下列光電材料與非線性光學材料：
a.鉀鈦砷鉀(KTA)(CAS 59400-80-5)；
b.硒鎵銀(AgGaSe2，亦稱為AGSE)(CAS 12002-67-4)；
c.硒砷鉈(Tl3AsSe3，亦稱為TAS)(CAS 16142-89-5)；
d.磷化鋅鍺(ZnGeP2，亦稱為ZGP、鋅鍺磷化物或二磷化鍺鋅；或
f.硒化鎵(GaSe)(CAS 12024-11-2)；
(3)由碳化硅或鈹混鈹(Be/Be)沉淀物構成的“基板”，其直徑或主軸長度大于300mm；
(4)具備以下所有特征的玻璃，包括熔融石英、磷酸玻璃、氟氧玻璃、四氟化鋯(ZrF4)(CAS 7783-64-4)及四氟化鉿(HfF4)(CAS 13709-52-9)：
a.氫氧根離子(OH-)濃度小于5ppm；
b.合金純度小于1ppm；且
c.高均勻度(折射率變化指數)小于5×10-6；
(5)在大于200nm，小于等于14000nm的波長范圍內，光吸收率小于10-5 cm-1的人造金剛石材料；
激光器
1.“激光”材料，如下：
(1) 未成型的合成晶體“激光”基體材料如下：
a.摻鈦藍寶石；
(2)摻雜稀土金屬的雙包層光纖：
a.標稱“激光”波長為975nm至1150nm，且具備以下所有特征：
(a)平均纖芯直徑大于等于25μm；且
(b)纖芯‘數值孔徑’(NA)小于0.065；或
注釋：上條不適用于內包層玻璃直徑大于150μm，但小于等于300μm的雙包層光纖。
b.標稱“激光”波長超過1530nm，且具備以下所有特征：
(a)平均纖芯直徑大于等于20μm；且
(b)纖芯‘數值孔徑’(NA)小于0.1。
技術說明：
①就上條而言，纖芯“數值孔徑”(“NA”)是根據光纖的發射波長測定的。
②上文(b)條包括組裝了端帽的光纖。
軟件
1.為“研制” “生產”或“使用”上述設備專門設計的“軟件”。
2.經專門“設計”或“改進”后可令不在列管清單的設備經具備上述設備功能的“軟件”。
技術
用于“研制”、“生產”或“使用”上述設備、材料及軟件的“技術”。
(七)導航與航空電子
系統、設備和組件
1.下列“星跟蹤器”和部件：
(1)“星跟蹤器”，其指定的方位角“精度”小于等于(優于)20弧秒(在設備的指定壽命內)。
(2)下列專為(1)條所述設備而設計的部件：
a.光學鏡頭或擋板；
b.數據處理裝置。
技術說明：
“星跟蹤器”也稱為星姿態敏感器或陀螺天文羅盤。
2.具備以下任一特征的全球導航衛星系統(GNSS)接收設備，以及為其專門設計的部件：
(1)采用專為政府設計或改進的解密算法來存取位置和時間的測距碼；或
(2)采用“自適應天線系統”。
注釋： (2)不適用GNSS接收設備，該設備僅使用設計用于濾波、轉換或組合來自多個全向天線(未使用自適應天線技術)的信號的部件。
技術說明：
就(2)而言，“自適應天線系統”可通過對信號在時域或頻域上的處理，在天線陣列方向圖上動態生成一個或多個空間零點。
3.在除4.2GHz至4.4GHz以外的頻率下運行的機載高度計，且具備下列任一特征：
(1)“功率管理”；或
(2) 使用相移鍵控調制。
試驗、檢測和生產設備
1.專為上節所述設備而設計的試驗、校準或調準設備。
2.下列為表征環“激光”陀螺儀的反光鏡特征而專門設計的設備：
(1)散射計具備小于等于(優于)10ppm的測量“精度”；
(2)輪廓儀具備小于等于(優于)0.5nm(5埃)的測量“精度”。
3.為“生產”上文所述設備而專門設計的設備。
注釋：包括：
–陀螺儀調諧檢測站；
–陀螺儀動態平衡站；
–陀螺儀磨合/電機檢測站；
–陀螺儀抽空和填充站；
–用于陀螺儀軸承的離心機裝置；
–加速計軸線對準站；
–光纖陀螺儀繞線機。
軟件
1.為“研制”或“生產”或“使用”上述設備而專門設計或改進的“軟件”。
2.經專門“設計”或“改進”后可令不在列管清單的設備經具備上述設備功能的“軟件”。
3.用于操作或維修上述設備的“源代碼”。
4.專為“主動飛行控制系統”、直升機多軸線電傳或光傳操縱飛行控制器，或直升機循環控制抗扭矩或循環控制“方向控制系統”的“研制”而專門設計的計算機輔助設計(CAD)“軟件”
技術
用于“研制”、“生產”或“使用”上述設備和軟件的“技術”。
(八)船舶
系統、設備和組件
1.下列船舶系統、設備和部件：
(1)下列專為各類潛水器設計或改進，且工作深度超過1000m的系統、設備和組件：
a.最大內艙室直徑大于1.5m的耐壓艙壁或耐壓殼體；
b.直流推進電動機或推進器；
c.采用光纖的集束控制電纜及其連接裝置，并使用達到復合強度的構件；
d.使用下列材料制造的各類組件；
專為水下使用設計的“復合泡沫塑料”，且具備以下所有特征：
(a)設計下潛深度超過1000m的海洋設備；且
(b)密度小于561kg/m3。
技術說明：
上條的限制目標在于“復合泡沫塑料”的設計潛水深度超過1000m且密度小于561kg/m3，不應因其是半成品或處于制造中間環節而被忽略從而允許出口。
(2)對于上述潛水器自主航行控制而專門設計或改進的系統，該類系統使用導航數據、具有閉環伺服控制，且具備以下任一特征：
a.能夠使潛水器移動到水體預設點的10m水柱的范圍內。
b.能夠使潛水器保持在水體預設點的10m水柱范圍內；或
c.當沿著敷設在海床上或埋設在海床下的電纜航行時，潛水器的位置能夠控制在距離電纜10m范圍內；
(3)裝有光纖耐壓殼體壓頭；
(4)為水下使用而設計的“機器人”，其可以通過專用計算機進行控制，且具備以下任一特征：
a.裝有一些能夠使用各種傳感器提供的信息對“機器人”進行控制的系統，這些傳感器包括：測量施加于某個艙外物體上的力或力矩的傳感器、測距傳感器、或觸覺傳感器；或
b.能夠施加250N以上的力或250Nm以上的力矩，且其結構性構件使用鈦基合金或“復合”“纖維或纖絲材料”；
(5) a. 具備以下所有特征，且采用“斯特林”循環發動機的不依賴空氣動力系統：
(a)專為降低10kHz以下噪音設計的設備或附件，或為減震安裝的特殊設備；且
(b)專門設計的可在100kPa或更高的壓力下排放燃燒產物的排氣系統；
(6)a.為下列排水量為1000噸或1000噸以上的船舶設計的降噪系統：
(a)用于降低頻率低于500Hz的水下噪音，且裝有復合材料吸聲底座，以隔絕柴油發動機、柴油發電機組、燃氣輪機、燃氣輪機發電機組、推進電動機或推進用減速齒輪裝置發出的噪音，特別是為隔絕噪音或振動而設計，并裝有中間質塊(其質量超過設備質量的30%)的降噪系統；
(b)專為動力傳動系統而設計的“主動降噪或消音系統”或磁力軸承；
技術說明：
“主動降噪或消音系統”中包括各種可以直接針對噪音源或振動源制造反向噪音或反向信號以主動降低設備振動的電子控制系統。
(九)航空航天和推進
系統、設備和部件
1.航空燃氣渦輪發動機：
(1)采用標題為“技術”的下節第二段所述任一項“技術”，或
注釋1：本條不適用于滿足下列所有要求的航空燃氣渦輪發動機：
①已獲得民用航空主管部門的認證；且
②專門為非軍用載人“航空器”提供動力的發動機，民用航空主管部門已經為這些使用此類特定發動機的“航空器”簽發了下列任一文件：
民用型號的合格證；或
國際民用航空組織(ICAO)認可的等效文件。
注釋2： 本條不適用于為已獲得成員國民航主管部門批準的輔助動力裝置(APU)設計的航空燃氣渦輪發動機。
(2)設計用于為巡航速度1馬赫(含)以上，續航時間在30分鐘以上的“航空器”提供動力。
2.根據國際標準化組織的標準，連續輸出功率大于等于24245kW，且在35%-100%的功率范圍內，耗油率不大于0.219kg/kWh的“船用燃氣渦輪發動機”，以及為其專門設計的組件和部件。
注釋：術語“船用燃氣渦輪發動機”包括那些工業或航空發動機改型、并用于船上發電或推進的燃氣渦輪發動機。
3.采用下文標題為“技術”的一節第2段所述的任一項“技術”，為下列任一航空燃氣渦輪發動機專門設計的零部件：
(1)符合上述第1條規定；或
(2)其設計或生產源于未知制造商。
4.下列航天運載火箭、“航天器”、“航天器平臺”、“航天器有效載荷”、“航天器”的星載系統或設備以及地面設備：
(1)航天運載火箭；
(2)“航天器”；
(3)“航天器平臺”；
(4)“航天器有效載荷”包括該清單所述的所有物項；
(5)專為“航天器”設計的，且具有下列任一功能的星載系統或設備：
a.“指令與遙測數據處理”；
(6) 下列專為“航天器”設計的地面設備：
a.遙測和遙控設備；
b.模擬器。
5.液體火箭推進系統。
6.下列專為液體火箭推進系統設計的系統和部件：
(1)專為空間運載工具設計的低溫制冷機、飛行重量杜瓦瓶、低溫熱管或低溫系統，其可將低溫液體年損失限制在30%的范圍內；
(2)能為持續飛行速度大于3馬赫的“航空器”、運載火箭或“航天器”提供100K(-173℃)或更低溫度的低溫容器或閉路循環制冷系統；
(3)氫漿儲存或輸送系統；
(4)高壓(大于17.5MPa)渦輪泵、泵部件或與之關聯的燃氣發生器或膨脹循環渦輪驅動系統；
(5)與其配套的高壓(大于10.6MPa)推力室及噴嘴；
(6)采用毛細管理或正壓輸送原理(即：帶有彈性囊狀物)的推進劑存貯系統；
(7)專為液體火箭發動機設計的，且單孔直徑小于等于0.381mm(非圓形孔的面積小于等于1.14×10-3cm2)的液體推進劑噴注器；
(8)密度大于1.4g/cm3且抗拉強度大于48MPa的整體式碳–碳推力室或碳-碳出口錐。
7.固體火箭推進系統。
8.下列專為固體火箭推進系統設計的部件：
(1)使用內襯為固體推進劑和外殼絕緣材料之間提供“牢固的力學粘連”或阻止其化學遷移的絕緣和推進劑粘結系統；
(2)直徑大于0.61m或“結構效率比(PV/W)”大于25km的纖維纏繞“復合材料”發動機殼體；
技術說明：
“結構效率比(PV/W)”為爆裂壓力(P)乘以容器體積(V)除以壓力容器的總重量(W)的比值。
(3)推力級大于45kN或喉部燒蝕速率小于0.075mm/s的噴管；
(4)具有下列任一能力的擺噴管或二次液體噴注推力矢量控制系統：
a.全軸向擺動幅度大于±5°；
b.角矢量旋轉速度大于等于20°/s；或
c.角矢量加速度大于等于40°/s2。
9.混合式火箭推進系統：
10.下列專為運載火箭、運載火箭推進系統或“航天器”設計的部件、系統和結構：
(1)專門設計用下列任一材料制造運載火箭的部件或結構：
a.纖維或纖絲材料；
b.金屬“基體”“復合材料”；或
c.陶瓷“基體”“復合”材料；
11.下列“無人機”(“UAV”)、無人駕駛“飛艇”，相關的設備和部件：
(1)設計用于可在“操作員”直接“自然視覺”范圍外受控飛行，且具備以下特征之一的“無人機”或無人駕駛“飛艇”：
a.具備以下所有特征：
(a)最大“續航時間”大于等于30分鐘，小于1小時；且
(b)在風力大于等于46.3km/h(25節)時，具有起飛和穩定可控飛行能力；或
b.最大“續航時間”大于等于1小時；
技術說明：
①就上條而言，“操作員”指的是開動或指揮“無人機”或無人駕駛“飛艇”飛行的人員。
②就上條而言，“續航時間”可在無風環境中的海平面高度上的國際標準大氣壓(ISO 2533：1975)條件下計算。
③就上條而言，“自然視覺”指的是人在佩戴或未佩戴視力矯正鏡片時的裸眼視力。
(2)下列相關設備和部件：
a.為把有人駕駛“飛機”或有人駕駛“飛艇”改裝為第(a)條所述的“無人機”或無人駕駛“飛艇”而專門設計的設備或部件；
b.為在15240m(50000英尺)的高空推進“無人機”或無人駕駛“飛艇”而專門設計或改進的吸氣式活塞發動機或轉子內燃發動機。
試驗、檢測和生產設備
1.專為“研制”燃氣渦輪發動機及其零部件而設計、且采用 “技術”一節2(b)或2(c)所述的任何“技術”的在線(實時)控制系統、儀器儀表(包括傳感器)或自動數據采集和處理設備。
2.專為“生產”或測試當葉尖速度大于335m/s、工作溫度高于773K(500℃)的燃氣渦輪發動機刷式封嚴裝置而設計的設備，以及為其專門設計的部件或配件。
3.下述燃氣渦輪機“技術”一節第二段所述的將“高溫合金”、鈦合金或金屬間化合物葉片固定連接至盤組合件的工具、模具或夾具。
4.專門為速度大于等于1.2馬赫的風洞而設計的在線(實時)控制系統、儀器儀表(包括傳感器)或自動數據采集和處理設備。
5.當試驗艙溫度大于1273K(1000℃)時，產生大于等于160dB(相對于20μPa)的聲壓級，且額定輸出功率大于等于4kW的聲振試驗設備，以及為其專門設計的石英加熱器。
6.為用于檢測火箭發動機的完整性而專門設計的設備，使用除平面X射線或基本物理或化學分析以外的無損檢測(NDT)技術。
7.專為在氣流總溫(滯止溫度)大于833K(560℃)時，可直接測量側壁表面摩擦力而設計的傳感器。
8.具備以下所有特征的用于制造渦輪發動機粉末冶金轉子部件的模具：
(1)能在應力值大于等于極限拉伸強度(UTS)的60%、且金屬溫度大于等于873K(600℃)的條件下使用；和
(2)設計工作溫度大于等于873K(600℃)。
注釋： 上條不適用于生產粉末的模具。
9.專為生產“無人機”(“UAV”)、無人駕駛“飛艇”，以及相關部件而設計的設備。
軟件
1.為“研制”、“生產”或“使用”上述設備專門設計或改進的“軟件”。
2.經專門“設計”或“改進”后可令不在列管清單的設備具備上述設備功能的“軟件”。
技術
1.用于 “研制”、“生產”或“使用”上述設備及軟件的“技術”。
2.下列其他“技術”：
(1)“研制”或“生產”下列任意一種燃氣渦輪發動機部件或系統的“所需”“技術”；
a.由定向凝固(DS)或單晶(SC)合金制成的，且在1273K(1、000℃)及200MPa應力條件下的應力斷裂壽命(在001密勒指數方向)超過400小時(基于性能指標平均值)的燃氣渦輪葉片、導向葉片或“渦輪罩環”；
b.具備以下特征之一的燃燒室：
(a)設計用于在“燃燒室出口溫度”大于1883K(1610℃)下使用的熱去耦火焰筒；
(b)非金屬火焰筒；
(c)非金屬殼體；或
(d)設計用于在“燃燒室出口溫度”大于1883K(1610℃)下使用的，且滿足c規定的參數的打孔火焰筒；
c.由以下任一材料制造的部件：
(a)設計用于在溫度大于588K(315℃)下使用的有機“復合”材料；
(b)由以下任一材料制成的：
①金屬“基體”“復合材料”：
②陶瓷“基體”“復合材料”；或
(c)具備以下所有特征的靜子葉片、導流葉片、動葉、葉尖密封裝置(罩環)、旋轉整體葉環、旋轉整體葉盤或“分流器管路”：
①前文中未作規定的；
②設計用于壓氣機或風扇的；且
③由“纖維或纖絲材料”和樹脂制造的；
④設計用于在氣路溫度大于等于1373K(1100℃)下使用的非冷卻的渦輪葉片、導向葉片或“渦輪罩環”；
⑤可在氣路溫度大于等于1693K(1420℃)下使用的冷卻渦輪葉片、導向葉片或“渦輪罩環”；
⑥采用固態連接的葉片和盤組合件；
⑦采用“擴散連接”“技術”制成的燃氣渦輪發動機部件；
⑧采用粉末冶金材料制成的“損傷容限型”燃氣渦輪發動機轉子部件；或
⑨空心風扇葉片；
(2)下列用于燃氣渦輪發動機“全權限數字式發動機控制系統”的“技術”：
a.“研制”由“全權限數字式發動機控制系統”調節發動機推力或軸功率所需部件的功能要求(例如：反饋傳感器時間常數和精確度、燃油閥轉換速率等)的“技術”；
b.“研制”或“生產”由“全權限數字式發動機控制系統”調節發動機推力或軸功率的特有控制和診斷部件的“技術”；
c.“研制”由“全權數字電子/發動機控制系統”調節發動機推力或軸功率的特有控制律算法(包括“源代碼”)的“技術”；
注釋： 上文b條不適用于與發動機–“飛機”集成有關的技術數據，一個或多個參與國的民用航空主管部門在發布通用航空系統使用(例如：安裝手冊、操作規程、持續適航文件等)或接口功能(例如：輸入/輸出處理、機身推力或軸功率要求等)時需要此類數據。
(3)下列專為燃氣發生器渦輪、風扇或動力渦輪、或推力噴管設計的，用于保持發動機穩定性的可調流道系統的“技術”：
a.“研制”確保保持發動機穩定性部件功能要求的“技術”；
b.“研制”或“生產”確保保持發動機穩定性的可調流道系統特有部件的“技術”；
c.“研制”用于保持發動機穩定性的可調流道系統特有控制律算法(包括“源代碼”)的“技術”。
